제조업체 제품 번호:
SI3445DV-T1-E3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI3445DV-T1-E3-DG
설명:
MOSFET P-CH 8V 6TSOP
상세 설명:
P-Channel 8 V 5.6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
재고:
12916130
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제출
SI3445DV-T1-E3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
8 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5.6A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
42mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
25 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±8V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
6-TSOP
패키지 / 케이스
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
기본 제품 번호
SI3445
추가 정보
다른 이름들
SI3445DV-T1-E3-DG
SI3445DV-T1-E3CT
SI3445DV-T1-E3TR
SI3445DV-T1-E3DKR
SI3445DVT1E3
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
SI3433CDV-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
9491
부품 번호
SI3433CDV-T1-GE3-DG
단가
0.13
대체 유형
Direct
DIGI 인증
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