제조업체 제품 번호:
SI3460DDV-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI3460DDV-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
상세 설명:
N-Channel 20 V 7.9A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
재고:
938 새로운 원본 재고 있음
12914196
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SI3460DDV-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
7.9A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
18 nC @ 8 V
Vgs(최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
666 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
6-TSOP
패키지 / 케이스
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
기본 제품 번호
SI3460
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SI3460DDV-T1-GE3DKR
SI3460DDV-T1-GE3TR
SI3460DDVT1GE3
SI3460DDV-T1-GE3CT
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
RUM003N02T2L
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
22863
부품 번호
RUM003N02T2L-DG
단가
0.08
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
RF4C050APTR
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
5045
부품 번호
RF4C050APTR-DG
단가
0.20
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
RPT-38PT3F
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
1993
부품 번호
RPT-38PT3F-DG
단가
0.26
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
RQ1A060ZPTR
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
35921
부품 번호
RQ1A060ZPTR-DG
단가
0.28
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
IRFR120TR
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
IRLZ44S
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
IRFI640G
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
