제조업체 제품 번호:
SI3460DV-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI3460DV-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
상세 설명:
N-Channel 20 V 5.1A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
재고:
12912321
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제출
SI3460DV-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5.1A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
450mV @ 1mA (Min)
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±8V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.1W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
6-TSOP
패키지 / 케이스
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
기본 제품 번호
SI3460
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
STT5N2VH5
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
5800
부품 번호
STT5N2VH5-DG
단가
0.16
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
RQ6C050UNTR
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
40958
부품 번호
RQ6C050UNTR-DG
단가
0.13
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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