제조업체 제품 번호:
SI3499DV-T1-BE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI3499DV-T1-BE3-DG
설명:
P-CHANNEL 1.5-V (G-S) MOSFET
상세 설명:
P-Channel 8 V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
재고:
1370 새로운 원본 재고 있음
12977714
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제출
SI3499DV-T1-BE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
8 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5.3A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.5V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
23mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
750mV @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
42 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±5V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.1W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
6-TSOP
패키지 / 케이스
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
742-SI3499DV-T1-BE3DKR
742-SI3499DV-T1-BE3CT
742-SI3499DV-T1-BE3TR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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