SI3529DV-T1-E3
제조업체 제품 번호:

SI3529DV-T1-E3

Product Overview

제조사:

Vishay Siliconix

부품 번호:

SI3529DV-T1-E3-DG

설명:

MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6TSOP
상세 설명:
Mosfet Array 40V 2.5A, 1.95A 1.4W Surface Mount 6-TSOP

재고:

12915565
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

SI3529DV-T1-E3 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Obsolete
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
N and P-Channel
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.5A, 1.95A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
125mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
205pF @ 20V
전력 - 최대
1.4W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급업체 장치 패키지
6-TSOP
기본 제품 번호
SI3529

추가 정보

표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
vishay-siliconix

SI4808DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

vishay-siliconix

SIA906EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

vishay-siliconix

SI4931DY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

littelfuse

MMIX2F60N50P3

MOSFET 2N-CH 500V 30A 24SMPD