제조업체 제품 번호:
SI3851DV-T1-E3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI3851DV-T1-E3-DG
설명:
MOSFET P-CH 30V 1.6A 6TSOP
상세 설명:
P-Channel 30 V 1.6A (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
재고:
12912752
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제출
SI3851DV-T1-E3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
LITTLE FOOT®
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
200mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 250µA (Min)
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
3.6 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±20V
FET 기능
Schottky Diode (Isolated)
전력 손실(최대)
830mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
6-TSOP
패키지 / 케이스
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
기본 제품 번호
SI3851
추가 정보
다른 이름들
SI3851DV-T1-E3TR
SI3851DVT1E3
SI3851DV-T1-E3CT
SI3851DV-T1-E3DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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