제조업체 제품 번호:
SI3993DV-T1-E3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI3993DV-T1-E3-DG
설명:
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6TSOP
상세 설명:
Mosfet Array 30V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP
재고:
12918485
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제출
SI3993DV-T1-E3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Obsolete
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 P-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.8A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
133mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
전력 - 최대
830mW
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급업체 장치 패키지
6-TSOP
기본 제품 번호
SI3993
추가 정보
다른 이름들
SI3993DV-T1-E3CT
SI3993DVT1E3
SI3993DV-T1-E3TR
SI3993DV-T1-E3DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
SI3993CDV-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
50318
부품 번호
SI3993CDV-T1-GE3-DG
단가
0.13
대체 유형
Direct
DIGI 인증
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