SI4172DY-T1-GE3
제조업체 제품 번호:

SI4172DY-T1-GE3

Product Overview

제조사:

Vishay Siliconix

부품 번호:

SI4172DY-T1-GE3-DG

설명:

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
상세 설명:
N-Channel 30 V 15A (Tc) 2.5W (Ta), 4.5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

재고:

12914973
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제출

SI4172DY-T1-GE3 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
15A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
12mOhm @ 11A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
820 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-SOIC
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기본 제품 번호
SI4172

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
SI4172DY-T1-GE3TR
SI4172DY-T1-GE3DKR
SI4172DYT1GE3
SI4172DY-T1-GE3-DG
SI4172DY-T1-GE3CT
표준 패키지
2,500

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
RXH125N03TB1
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
0
부품 번호
RXH125N03TB1-DG
단가
0.44
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IRF7807ZTRPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
4903
부품 번호
IRF7807ZTRPBF-DG
단가
0.24
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
FDS6690A
제조사
onsemi
구매 가능 수량
4652
부품 번호
FDS6690A-DG
단가
0.24
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
BSO110N03MSGXUMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
7364
부품 번호
BSO110N03MSGXUMA1-DG
단가
0.32
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IRF8707TRPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
27101
부품 번호
IRF8707TRPBF-DG
단가
0.14
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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