제조업체 제품 번호:
SI4322DY-T1-E3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI4322DY-T1-E3-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
상세 설명:
N-Channel 30 V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 5.4W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
재고:
12916090
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SI4322DY-T1-E3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
18A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1640 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.1W (Ta), 5.4W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-SOIC
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기본 제품 번호
SI4322
추가 정보
다른 이름들
SI4322DYT1E3
SI4322DY-T1-E3DKR
SI4322DY-T1-E3CT
SI4322DY-T1-E3TR
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRF8714TRPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
26446
부품 번호
IRF8714TRPBF-DG
단가
0.21
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
TSM085P03CS RLG
제조사
Taiwan Semiconductor Corporation
구매 가능 수량
17000
부품 번호
TSM085P03CS RLG-DG
단가
0.32
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
RJK0355DSP-00#J0
제조사
Renesas Electronics Corporation
구매 가능 수량
10000
부품 번호
RJK0355DSP-00#J0-DG
단가
0.44
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
SI7455DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
SIS890DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
SQJ409EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
