제조업체 제품 번호:
SI4465ADY-T1-E3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI4465ADY-T1-E3-DG
설명:
MOSFET P-CH 8V 8SOIC
상세 설명:
P-Channel 8 V 13.7A (Ta), 20A (Tc) 3W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
재고:
2188 새로운 원본 재고 있음
12916402
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SI4465ADY-T1-E3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
8 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
13.7A (Ta), 20A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
9mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
85 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±8V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3W (Ta), 6.5W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-SOIC
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기본 제품 번호
SI4465
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SI4465ADYT1E3
SI4465ADY-T1-E3CT
SI4465ADY-T1-E3TR
SI4465ADY-T1-E3DKR
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH info available upon request
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
DIGI 인증
관련 상품
SIHD6N65ET5-GE3
MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
SQD50034EL_GE3
MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
SIHA120N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
