SI4488DY-T1-GE3
제조업체 제품 번호:

SI4488DY-T1-GE3

Product Overview

제조사:

Vishay Siliconix

부품 번호:

SI4488DY-T1-GE3-DG

설명:

MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
상세 설명:
N-Channel 150 V 3.5A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

재고:

8237 새로운 원본 재고 있음
12915282
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

SI4488DY-T1-GE3 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
150 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
3.5A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
50mOhm @ 5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 250µA (Min)
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.56W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-SOIC
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기본 제품 번호
SI4488

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
SI4488DY-T1-GE3TR
SI4488DYT1GE3
SI4488DY-T1-GE3CT
SI4488DY-T1-GE3DKR
표준 패키지
2,500

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
vishay-siliconix

SI4390DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO

nexperia

PSMN9R5-30YLC,115

MOSFET N-CH 30V 44A LFPAK56

littelfuse

IXFR80N15Q

MOSFET N-CH 150V 75A ISOPLUS247

vishay-siliconix

IRLR120PBF

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK