제조업체 제품 번호:
SI4670DY-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI4670DY-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
상세 설명:
Mosfet Array 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SOIC
재고:
12914027
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제출
SI4670DY-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
25V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
8A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
23mOhm @ 7A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
18nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
680pF @ 13V
전력 - 최대
2.8W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지
8-SOIC
기본 제품 번호
SI4670
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SI4670DY-T1-GE3DKR
SI4670DY-T1-GE3TR
SI4670DYT1GE3
SI4670DY-T1-GE3CT
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
SH8KA2GZETB
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
2907
부품 번호
SH8KA2GZETB-DG
단가
0.49
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
SH8KA1GZETB
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
7420
부품 번호
SH8KA1GZETB-DG
단가
0.24
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
SH8KA4TB
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
41573
부품 번호
SH8KA4TB-DG
단가
0.31
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
QH8KA1TCR
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
2865
부품 번호
QH8KA1TCR-DG
단가
0.19
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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