제조업체 제품 번호:
SI4876DY-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI4876DY-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
상세 설명:
N-Channel 20 V 14A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
재고:
12965815
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SI4876DY-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
14A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
2.5V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
5mOhm @ 21A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
80 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±12V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.6W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-SOIC
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기본 제품 번호
SI4876
추가 정보
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
SI4186DY-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
4214
부품 번호
SI4186DY-T1-GE3-DG
단가
0.40
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
SQJ431AEP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
SI3443CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
SIHF640S-GE3
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
