제조업체 제품 번호:
SI4913DY-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI4913DY-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8SOIC
상세 설명:
Mosfet Array 20V 7.1A 1.1W Surface Mount 8-SOIC
재고:
12915493
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제출
SI4913DY-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Obsolete
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 P-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
7.1A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
15mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 500µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
65nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
전력 - 최대
1.1W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지
8-SOIC
기본 제품 번호
SI4913
추가 정보
다른 이름들
SI4913DY-T1-GE3TR
SI4913DYT1GE3
SI4913DY-T1-GE3CT
SI4913DY-T1-GE3DKR
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
SI9933CDY-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
26680
부품 번호
SI9933CDY-T1-GE3-DG
단가
0.18
대체 유형
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