제조업체 제품 번호:
SI5475DC-T1-E3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI5475DC-T1-E3-DG
설명:
MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
상세 설명:
P-Channel 12 V 5.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
재고:
12915070
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제출
SI5475DC-T1-E3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
12 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5.5A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
31mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
450mV @ 1mA (Min)
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±8V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.3W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
1206-8 ChipFET™
패키지 / 케이스
8-SMD, Flat Lead
기본 제품 번호
SI5475
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
RT1A050ZPTR
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
7984
부품 번호
RT1A050ZPTR-DG
단가
0.33
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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