제조업체 제품 번호:
SI5935CDC-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI5935CDC-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
상세 설명:
Mosfet Array 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
재고:
11398 새로운 원본 재고 있음
12914135
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제출
SI5935CDC-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 P-Channel (Dual)
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
11nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
455pF @ 10V
전력 - 최대
3.1W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SMD, Flat Lead
공급업체 장치 패키지
1206-8 ChipFET™
기본 제품 번호
SI5935
추가 정보
다른 이름들
SI5935CDC-T1-GE3DKR
SI5935CDC-T1-GE3CT
SI5935CDC-T1-GE3TR
SI5935CDCT1GE3
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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