SI6423DQ-T1-GE3
제조업체 제품 번호:

SI6423DQ-T1-GE3

Product Overview

제조사:

Vishay Siliconix

부품 번호:

SI6423DQ-T1-GE3-DG

설명:

MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
상세 설명:
P-Channel 12 V 8.2A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP

재고:

8352 새로운 원본 재고 있음
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제출

SI6423DQ-T1-GE3 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
12 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
8.2A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
800mV @ 400µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
110 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±8V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.05W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-TSSOP
패키지 / 케이스
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
기본 제품 번호
SI6423

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
SI6423DQ-T1-GE3CT
SI6423DQ-T1-GE3TR
SI6423DQT1GE3
SI6423DQ-T1-GE3DKR
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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