제조업체 제품 번호:
SI7114DN-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI7114DN-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8
상세 설명:
N-Channel 30 V 11.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
재고:
12915750
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제출
SI7114DN-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
11.7A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 18.3A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±20V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.5W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스
PowerPAK® 1212-8
기본 제품 번호
SI7114
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SI7114DNT1GE3
SI7114DN-T1-GE3TR
SI7114DN-T1-GE3DKR
SI7114DN-T1-GE3CT
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
RQ3E130BNTB
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
1954
부품 번호
RQ3E130BNTB-DG
단가
0.15
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
CSD17578Q3A
제조사
Texas Instruments
구매 가능 수량
24950
부품 번호
CSD17578Q3A-DG
단가
0.18
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
CSD17578Q3AT
제조사
Texas Instruments
구매 가능 수량
1956
부품 번호
CSD17578Q3AT-DG
단가
0.46
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
CSD17552Q3A
제조사
Texas Instruments
구매 가능 수량
2037
부품 번호
CSD17552Q3A-DG
단가
0.32
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STL11N3LLH6
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
2745
부품 번호
STL11N3LLH6-DG
단가
0.49
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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