제조업체 제품 번호:
SI7501DN-T1-E3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI7501DN-T1-E3-DG
설명:
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
상세 설명:
Mosfet Array 30V 5.4A, 4.5A 1.6W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
재고:
12918051
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SI7501DN-T1-E3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
N and P-Channel, Common Drain
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5.4A, 4.5A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
35mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
14nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
전력 - 최대
1.6W
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
PowerPAK® 1212-8 Dual
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® 1212-8 Dual
기본 제품 번호
SI7501
추가 정보
다른 이름들
SI7501DN-T1-E3TR
SI7501DNT1E3
SI7501DN-T1-E3CT
SI7501DN-T1-E3DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
SI3590DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
SQJQ980EL-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 80V 36A PPAK8X8
SI4816DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A/7.7A 8SOIC