제조업체 제품 번호:
SI7664DP-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI7664DP-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
상세 설명:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
재고:
12915804
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SI7664DP-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
40A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.8V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
7770 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스
PowerPAK® SO-8
기본 제품 번호
SI7664
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
CSD17501Q5A
제조사
Texas Instruments
구매 가능 수량
6998
부품 번호
CSD17501Q5A-DG
단가
0.76
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
CSD17306Q5A
제조사
Texas Instruments
구매 가능 수량
5251
부품 번호
CSD17306Q5A-DG
단가
0.45
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
RS1E240BNTB
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
2500
부품 번호
RS1E240BNTB-DG
단가
0.22
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
CSD17301Q5A
제조사
Texas Instruments
구매 가능 수량
13376
부품 번호
CSD17301Q5A-DG
단가
0.62
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
SIR164DP-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
4515
부품 번호
SIR164DP-T1-GE3-DG
단가
0.48
대체 유형
Direct
DIGI 인증
관련 상품
SI1013X-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
SIHG24N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
SQR40N10-25_GE3
MOSFET N-CH 100V 40A TO252 REV
