제조업체 제품 번호:
SI7962DP-T1-E3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI7962DP-T1-E3-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO8
상세 설명:
Mosfet Array 40V 7.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
재고:
12919656
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SI7962DP-T1-E3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
7.1A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
17mOhm @ 11.1A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
70nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
전력 - 최대
1.4W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
PowerPAK® SO-8 Dual
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® SO-8 Dual
기본 제품 번호
SI7962
추가 정보
다른 이름들
SI7962DP-T1-E3TR
SI7962DPT1E3
SI7962DP-T1-E3DKR
SI7962DP-T1-E3CT
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
SI5999EDU-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
SI7842DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
SI4904DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC