SI7983DP-T1-E3
제조업체 제품 번호:

SI7983DP-T1-E3

Product Overview

제조사:

Vishay Siliconix

부품 번호:

SI7983DP-T1-E3-DG

설명:

MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO8
상세 설명:
Mosfet Array 20V 7.7A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

재고:

12920531
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

SI7983DP-T1-E3 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Obsolete
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 P-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
7.7A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
17mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 600µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
74nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
전력 - 최대
1.4W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
PowerPAK® SO-8 Dual
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® SO-8 Dual
기본 제품 번호
SI7983

추가 정보

다른 이름들
SI7983DP-T1-E3DKR
SI7983DPT1E3
SI7983DP-T1-E3CT
SI7983DP-T1-E3TR
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
vishay-siliconix

SI9933BDY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8SOIC

vishay-siliconix

SI4622DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

vishay-siliconix

SIZ790DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 16A 6PWRPAIR

vishay-siliconix

SQ4284EY-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC