제조업체 제품 번호:
SI8429DB-T1-E1
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI8429DB-T1-E1-DG
설명:
MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT
상세 설명:
P-Channel 8 V 11.7A (Tc) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
재고:
20174 새로운 원본 재고 있음
12917673
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제출
SI8429DB-T1-E1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
8 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
11.7A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.2V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
35mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
800mV @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
26 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1640 pF @ 4 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
4-Microfoot
패키지 / 케이스
4-XFBGA, CSPBGA
기본 제품 번호
SI8429
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SI8429DB-T1-E1DKR
SI8429DBT1E1
SI8429DB-T1-E1CT
SI8429DB-T1-E1TR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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