SI8445DB-T2-E1
제조업체 제품 번호:

SI8445DB-T2-E1

Product Overview

제조사:

Vishay Siliconix

부품 번호:

SI8445DB-T2-E1-DG

설명:

MOSFET P-CH 20V 9.8A 4MICROFOOT
상세 설명:
P-Channel 20 V 9.8A (Tc) 1.8W (Ta), 11.4W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot

재고:

12917242
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제출

SI8445DB-T2-E1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
9.8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.2V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
84mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
850mV @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
16 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
700 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.8W (Ta), 11.4W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
4-Microfoot
패키지 / 케이스
4-XFBGA, CSPBGA
기본 제품 번호
SI8445

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
SI8445DB-T2-E1TR
SI8445DB-T2-E1DKR
SI8445DBT2E1
SI8445DB-T2-E1CT
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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