제조업체 제품 번호:
SI8475EDB-T1-E1
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI8475EDB-T1-E1-DG
설명:
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
상세 설명:
P-Channel 20 V 4.9A (Ta) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
재고:
12918227
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SI8475EDB-T1-E1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4.9A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
2.5V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
32mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.5V @ 250µA
Vgs(최대)
±12V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
4-Microfoot
패키지 / 케이스
4-XFBGA, CSPBGA
기본 제품 번호
SI8475
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SI8475EDB-T1-E1CT
SI8475EDB-T1-E1TR
SI8475EDBT1E1
SI8475EDB-T1-E1DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
SIHS20N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 20A SUPER247
PSMN069-100YS,115
MOSFET N-CH 100V 17A LFPAK56
BUK6D81-80EX
MOSFET N-CH 80V 3.2A/9.8A 6DFN
