제조업체 제품 번호:
SI8812DB-T2-E1
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI8812DB-T2-E1-DG
설명:
MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
상세 설명:
N-Channel 20 V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
재고:
12913742
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제출
SI8812DB-T2-E1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.2V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
59mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
17 nC @ 8 V
Vgs(최대)
±5V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
500mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
4-Microfoot
패키지 / 케이스
4-UFBGA
기본 제품 번호
SI8812
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SI8812DBT2E1
SI8812DB-T2-E1TR
SI8812DB-T2-E1DKR
SI8812DB-T2-E1CT
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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