제조업체 제품 번호:
SI9926BDY-T1-E3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SI9926BDY-T1-E3-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8SOIC
상세 설명:
Mosfet Array 20V 6.2A 1.14W Surface Mount 8-SOIC
재고:
12920053
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제출
SI9926BDY-T1-E3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Obsolete
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
6.2A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
20mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
20nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
전력 - 최대
1.14W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지
8-SOIC
기본 제품 번호
SI9926
추가 정보
다른 이름들
SI9926BDYT1E3
SI9926BDY-T1-E3DKR
SI9926BDY-T1-E3CT
SI9926BDY-T1-E3TR
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRF8915TRPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
0
부품 번호
IRF8915TRPBF-DG
단가
0.78
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
SI9926CDY-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
19493
부품 번호
SI9926CDY-T1-GE3-DG
단가
0.35
대체 유형
Direct
부품 번호
DMG6898LSD-13
제조사
Diodes Incorporated
구매 가능 수량
25653
부품 번호
DMG6898LSD-13-DG
단가
0.18
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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