제조업체 제품 번호:
SIA456DJ-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIA456DJ-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
상세 설명:
N-Channel 200 V 2.6A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
재고:
13305 새로운 원본 재고 있음
12913534
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제출
SIA456DJ-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
350 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® SC-70-6
패키지 / 케이스
PowerPAK® SC-70-6
기본 제품 번호
SIA456
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SIA456DJ-T1-GE3DKR
SIA456DJT1GE3
SIA456DJ-T1-GE3CT
SIA456DJ-T1-GE3TR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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