SIA920DJ-T1-GE3
제조업체 제품 번호:

SIA920DJ-T1-GE3

Product Overview

제조사:

Vishay Siliconix

부품 번호:

SIA920DJ-T1-GE3-DG

설명:

MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC70-6
상세 설명:
Mosfet Array 8V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

재고:

12918630
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제출

SIA920DJ-T1-GE3 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Obsolete
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
8V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4.5A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
27mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
700mV @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
470pF @ 4V
전력 - 최대
7.8W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
PowerPAK® SC-70-6 Dual
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® SC-70-6 Dual
기본 제품 번호
SIA920

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
SIA910EDJ-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
2096
부품 번호
SIA910EDJ-T1-GE3-DG
단가
0.17
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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