제조업체 제품 번호:
SIA931DJ-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIA931DJ-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
상세 설명:
Mosfet Array 30V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
재고:
76934 새로운 원본 재고 있음
12786861
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
t5l6
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SIA931DJ-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 P-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4.5A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
65mOhm @ 3A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
13nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
445pF @ 15V
전력 - 최대
7.8W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
PowerPAK® SC-70-6 Dual
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® SC-70-6 Dual
기본 제품 번호
SIA931
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SIA931DJ-T1-GE3DKR
SIA931DJ-T1-GE3CT
SIA931DJ-T1-GE3TR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
Vendor Undefined
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
SQ4532AEY-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
SQJ992EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
SQJ500AEP-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
