제조업체 제품 번호:
SIHB22N60S-E3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIHB22N60S-E3-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 22A TO263
상세 설명:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
재고:
12787392
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SIHB22N60S-E3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
22A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
190mOhm @ 11A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2810 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
250W (Tc)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263 (D2PAK)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
SIHB22
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SIHB22N60S-E3TRINACTIVE
SIHB22N60SE3
SIHB22N60S-E3TR
SIHB22N60S-E3CT-DG
SIHB22N60S-E3TR-DG
SIHB22N60S-E3DKR
SIHB22N60S-E3DKR-DG
SIHB22N60S-E3CT
SIHB22N60S-E3DKRINACTIVE
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
R6024ENJTL
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
831
부품 번호
R6024ENJTL-DG
단가
1.59
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
R6020ENJTL
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
9101
부품 번호
R6020ENJTL-DG
단가
1.15
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STB24NM60N
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
949
부품 번호
STB24NM60N-DG
단가
2.86
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IPB60R199CPATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
3260
부품 번호
IPB60R199CPATMA1-DG
단가
1.72
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
SQJ446EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
SIR826ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SIHB12N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
