제조업체 제품 번호:
SIHD3N50D-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIHD3N50D-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 500V 3A TO252AA
상세 설명:
N-Channel 500 V 3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount DPAK
재고:
2980 새로운 원본 재고 있음
12917629
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SIHD3N50D-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
500 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
3A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
175 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
69W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
DPAK
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
SIHD3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SIHD3N50DGE3
SIHD3N50D-GE3CT-DG
SIHD3N50D-GE3TR-DG
SIHD3N50D-GE3TR
SIHD3N50D-GE3DKR-DG
SIHD3N50D-GE3CT
SIHD3N50D-GE3TRINACTIVE
SIHD3N50D-GE3DKR
SIHD3N50D-GE3DKRINACTIVE
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TK3P50D,RQ(S
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
1899
부품 번호
TK3P50D,RQ(S-DG
단가
0.40
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STD3NK50ZT4
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
2443
부품 번호
STD3NK50ZT4-DG
단가
0.42
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
AOD3N50
제조사
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
구매 가능 수량
8729
부품 번호
AOD3N50-DG
단가
0.21
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
SI4686DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO
SIS436DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
SI2323DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
