제조업체 제품 번호:
SIHD5N50D-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIHD5N50D-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA
상세 설명:
N-Channel 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount DPAK
재고:
12786150
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제출
SIHD5N50D-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
500 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5.3A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
325 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
104W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
DPAK
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
SIHD5
데이터 시트 및 문서
추가 정보
다른 이름들
SIHD5N50D-GE3DKR-DG
SIHD5N50D-GE3DKRINACTIVE
SIHD5N50D-GE3CT
SIHD5N50D-GE3TR
SIHD5N50D-GE3TRINACTIVE
SIHD5N50DGE3
SIHD5N50D-GE3DKR
SIHD5N50D-GE3TR-DG
SIHD5N50D-GE3CT-DG
표준 패키지
75
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRFR825TRPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
52779
부품 번호
IRFR825TRPBF-DG
단가
0.84
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
TK5P50D(T6RSS-Q)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
1982
부품 번호
TK5P50D(T6RSS-Q)-DG
단가
0.44
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
TK7P50D(T6RSS-Q)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
1980
부품 번호
TK7P50D(T6RSS-Q)-DG
단가
0.49
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
TK6P53D(T6RSS-Q)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
1990
부품 번호
TK6P53D(T6RSS-Q)-DG
단가
0.47
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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