SIHFL110TR-GE3
제조업체 제품 번호:

SIHFL110TR-GE3

Product Overview

제조사:

Vishay Siliconix

부품 번호:

SIHFL110TR-GE3-DG

설명:

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
상세 설명:
N-Channel 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223

재고:

2500 새로운 원본 재고 있음
12786954
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

SIHFL110TR-GE3 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
540mOhm @ 900mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
180 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SOT-223
패키지 / 케이스
TO-261-4, TO-261AA
기본 제품 번호
SIHFL110

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
742-SIHFL110TR-GE3CT
742-SIHFL110TR-GE3TR
SIHFL110TR-GE3-DG
742-SIHFL110TR-GE3DKR
표준 패키지
2,500

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
vishay-siliconix

SIHB12N60ET1-GE3

MOSFET N-CH 600V 12A TO263

vishay-siliconix

SIJ188DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK

vishay-siliconix

SIHD6N62E-GE3

MOSFET N-CH 620V 6A DPAK

vishay-siliconix

SIR610DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8