SIHG15N60E-GE3
제조업체 제품 번호:

SIHG15N60E-GE3

Product Overview

제조사:

Vishay Siliconix

부품 번호:

SIHG15N60E-GE3-DG

설명:

MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC
상세 설명:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AC

재고:

12921780
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

SIHG15N60E-GE3 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tube
시리즈
E
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
15A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
280mOhm @ 8A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1350 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
180W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247AC
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
SIHG15

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

표준 패키지
500

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
IXTH30N60L2
제조사
IXYS
구매 가능 수량
475
부품 번호
IXTH30N60L2-DG
단가
12.61
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
APT34F60B
제조사
Microchip Technology
구매 가능 수량
9
부품 번호
APT34F60B-DG
단가
12.56
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
vishay-siliconix

SIRA14DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8

diodes

DMT8008LFG-7

MOSFET N-CH 80V 16A PWRDI3333

diodes

DMT10H072LFDFQ-7

MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN

vishay-siliconix

SISS04DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK