제조업체 제품 번호:
SIHG64N65E-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIHG64N65E-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
상세 설명:
N-Channel 650 V 64A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
재고:
12917532
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제출
SIHG64N65E-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
64A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
47mOhm @ 32A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
369 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
7497 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
520W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247AC
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
SIHG64
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SIHG64N65E-GE3-DG
742-SIHG64N65E-GE3
표준 패키지
500
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
APT60N60BCSG
제조사
Microchip Technology
구매 가능 수량
137
부품 번호
APT60N60BCSG-DG
단가
15.64
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
FCH040N65S3-F155
제조사
onsemi
구매 가능 수량
1185
부품 번호
FCH040N65S3-F155-DG
단가
7.17
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
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제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
1670
부품 번호
IPW65R045C7FKSA1-DG
단가
6.73
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
TK62N60X,S1F
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
102
부품 번호
TK62N60X,S1F-DG
단가
5.71
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
TSM60NB041PW C1G
제조사
Taiwan Semiconductor Corporation
구매 가능 수량
2485
부품 번호
TSM60NB041PW C1G-DG
단가
8.76
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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