제조업체 제품 번호:
SIHP12N50C-E3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIHP12N50C-E3-DG
설명:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
상세 설명:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 208W (Tc) Through Hole
재고:
12786985
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SIHP12N50C-E3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
500 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
12A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
555mOhm @ 4A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1375 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
208W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
SIHP12
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SIHP12N50C-E3TRINACTIVE
SIHP12N50C-E3TR-DG
SIHP12N50C-E3CT-DG
SIHP12N50C-E3DKR
SIHP12N50C-E3DKRINACTIVE
SIHP12N50C-E3CT
SIHP12N50C-E3DKR-DG
SIHP12N50C-E3TR
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
STP11NK50Z
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
826
부품 번호
STP11NK50Z-DG
단가
1.27
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STP11NK40Z
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
78
부품 번호
STP11NK40Z-DG
단가
0.75
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
SIHA25N50E-E3
MOSFET N-CH 500V 26A TO220
SIR172DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
SUP40N25-60-E3
MOSFET N-CH 250V 40A TO220AB
