SIHP22N60EL-GE3
제조업체 제품 번호:

SIHP22N60EL-GE3

Product Overview

제조사:

Vishay Siliconix

부품 번호:

SIHP22N60EL-GE3-DG

설명:

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
상세 설명:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220AB

재고:

12916624
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

SIHP22N60EL-GE3 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
21A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
197mOhm @ 11A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1690 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
227W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220AB
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
SIHP22

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

표준 패키지
1,000

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
TK16E60W,S1VX
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
39
부품 번호
TK16E60W,S1VX-DG
단가
1.10
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IPP60R199CPXKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
512
부품 번호
IPP60R199CPXKSA1-DG
단가
1.75
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IPP60R180C7XKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
572
부품 번호
IPP60R180C7XKSA1-DG
단가
1.23
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
TPH3206PD
제조사
Transphorm
구매 가능 수량
68
부품 번호
TPH3206PD-DG
단가
5.39
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IXTP24N65X2
제조사
IXYS
구매 가능 수량
260
부품 번호
IXTP24N65X2-DG
단가
2.67
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
vishay-siliconix

SI7405BDN-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIS452DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIHJ10N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SISS10DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S