제조업체 제품 번호:
SIHW61N65EF-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIHW61N65EF-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD
상세 설명:
N-Channel 650 V 64A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AD
재고:
12965790
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SIHW61N65EF-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tube
시리즈
E
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
64A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
47mOhm @ 30.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
371 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
7407 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
520W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247AD
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
SIHW61
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
표준 패키지
480
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
STW72N60DM2AG
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
600
부품 번호
STW72N60DM2AG-DG
단가
6.50
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IPW60R040C7XKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
464
부품 번호
IPW60R040C7XKSA1-DG
단가
6.74
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
SQJA38EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
SIR862DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
SI7860DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
