제조업체 제품 번호:
SIHW70N60EF-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIHW70N60EF-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
상세 설명:
N-Channel 600 V 70A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AD
재고:
12919036
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SIHW70N60EF-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
70A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
38mOhm @ 35A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
380 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
7500 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
520W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247AD
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
SIHW70
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
표준 패키지
25
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPW65R041CFDFKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
3
부품 번호
IPW65R041CFDFKSA1-DG
단가
13.60
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IPW60R040C7XKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
464
부품 번호
IPW60R040C7XKSA1-DG
단가
6.74
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IPW60R045CPAFKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
83
부품 번호
IPW60R045CPAFKSA1-DG
단가
12.42
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
FCH041N65EF-F155
제조사
onsemi
구매 가능 수량
450
부품 번호
FCH041N65EF-F155-DG
단가
8.93
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
SI4396DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
SIHF15N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
SIE832DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 50A 10POLARPAK
