제조업체 제품 번호:
SIR158DP-T1-RE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIR158DP-T1-RE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
상세 설명:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
재고:
2537 새로운 원본 재고 있음
12965904
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SIR158DP-T1-RE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET® Gen III
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
60A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4980 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
83W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스
PowerPAK® SO-8
기본 제품 번호
SIR158
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SIR158DP-T1-RE3DKR
SIR158DP-T1-RE3CT
SIR158DP-T1-RE3TR
SIR158DP-T1-RE3-DG
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
CSD17527Q5A
제조사
Texas Instruments
구매 가능 수량
12150
부품 번호
CSD17527Q5A-DG
단가
0.40
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
SIR870ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
SIB455EDK-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
SI7469DP-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
