제조업체 제품 번호:
SIR170DP-T1-RE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIR170DP-T1-RE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
상세 설명:
N-Channel 100 V 23.2A (Ta), 95A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
재고:
825 새로운 원본 재고 있음
12916189
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제출
SIR170DP-T1-RE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET® Gen IV
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
23.2A (Ta), 95A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
6195 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스
PowerPAK® SO-8
기본 제품 번호
SIR170
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SIR170DP-T1-RE3TR
SIR170DP-T1-RE3CT
SIR170DP-T1-RE3DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
RS3L045GNGZETB
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
1173
부품 번호
RS3L045GNGZETB-DG
단가
0.25
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
RS6P100BHTB1
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
2725
부품 번호
RS6P100BHTB1-DG
단가
1.35
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
RS1L145GNTB
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
1003
부품 번호
RS1L145GNTB-DG
단가
0.81
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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