제조업체 제품 번호:
SIR804DP-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIR804DP-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
상세 설명:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
재고:
13 새로운 원본 재고 있음
12965848
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제출
SIR804DP-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
60A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2450 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스
PowerPAK® SO-8
기본 제품 번호
SIR804
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SIR804DPT1GE3
SIR804DP-T1-GE3CT
SIR804DP-T1-GE3TR
SIR804DP-T1-GE3DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Affected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
BSC060N10NS3GATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
12802
부품 번호
BSC060N10NS3GATMA1-DG
단가
1.17
대체 유형
MFR Recommended
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제조사
Rohm Semiconductor
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단가
0.25
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제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
10181
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단가
0.66
대체 유형
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부품 번호
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제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
88704
부품 번호
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단가
0.98
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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