제조업체 제품 번호:
SIR812DP-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIR812DP-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
상세 설명:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
재고:
12786676
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제출
SIR812DP-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
60A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.45mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
335 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
10240 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스
PowerPAK® SO-8
기본 제품 번호
SIR812
추가 정보
다른 이름들
SIR812DP-T1-GE3DKR
SIR812DPT1GE3
SIR812DP-T1-GE3CT
SIR812DP-T1-GE3TR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
RS1E350GNTB
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
2500
부품 번호
RS1E350GNTB-DG
단가
1.02
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
RS1E350BNTB
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
810
부품 번호
RS1E350BNTB-DG
단가
0.65
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
CSD17312Q5
제조사
Texas Instruments
구매 가능 수량
6167
부품 번호
CSD17312Q5-DG
단가
0.89
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
SIRA80DP-T1-RE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
15704
부품 번호
SIRA80DP-T1-RE3-DG
단가
0.59
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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