제조업체 제품 번호:
SIRA20BDP-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIRA20BDP-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
상세 설명:
N-Channel 25 V 82A (Ta), 335A (Tc) 6.3W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
재고:
10195 새로운 원본 재고 있음
12948261
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제출
SIRA20BDP-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET® Gen IV
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
25 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
82A (Ta), 335A (Tc)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
0.58mOhm @ 20A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
186 nC @ 10 V
Vgs(최대)
+16V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
9950 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
6.3W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스
PowerPAK® SO-8
기본 제품 번호
SIRA20
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
742-SIRA20BDP-T1-GE3TR
742-SIRA20BDP-T1-GE3DKR
742-SIRA20BDP-T1-GE3CT
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
Vendor Undefined
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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