제조업체 제품 번호:
SIRC16DP-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIRC16DP-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
상세 설명:
N-Channel 25 V 60A (Tc) 54.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
재고:
2262 새로운 원본 재고 있음
12954482
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제출
SIRC16DP-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET® Gen IV
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
25 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
60A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
0.96mOhm @ 15A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
48 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
+20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
5150 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
54.3W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스
PowerPAK® SO-8
기본 제품 번호
SIRC16
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SIRC16DP-T1-GE3TR
SIRC16DP-T1-GE3CT
SIRC16DP-T1-GE3DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
RS1E350BNTB
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
810
부품 번호
RS1E350BNTB-DG
단가
0.65
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
RS1E321GNTB1
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
4800
부품 번호
RS1E321GNTB1-DG
단가
0.91
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
RS1E280BNTB
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
35014
부품 번호
RS1E280BNTB-DG
단가
0.27
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
RS3E095BNGZETB
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
2500
부품 번호
RS3E095BNGZETB-DG
단가
0.29
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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