제조업체 제품 번호:
SISH110DN-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SISH110DN-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK
상세 설명:
N-Channel 20 V 13.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
재고:
12786357
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SISH110DN-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET® Gen II
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
13.5A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
5.3mOhm @ 21.1A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
21 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±20V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.5W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® 1212-8SH
패키지 / 케이스
PowerPAK® 1212-8SH
기본 제품 번호
SISH110
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SISH110DN-T1-GE3TR
SISH110DN-T1-GE3CT
SISH110DN-T1-GE3DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
SQM120N04-1M7L_GE3
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
SIRA90DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
SIR632DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
