제조업체 제품 번호:
SISH536DN-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SISH536DN-T1-GE3-DG
설명:
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
상세 설명:
N-Channel 30 V 24.7A (Ta), 67.4A (Tc) 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
재고:
10564 새로운 원본 재고 있음
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제출
SISH536DN-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET® Gen V
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
24.7A (Ta), 67.4A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.25mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs(최대)
+16V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1150 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® 1212-8SH
패키지 / 케이스
PowerPAK® 1212-8SH
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
742-SISH536DN-T1-GE3CT
742-SISH536DN-T1-GE3TR
742-SISH536DN-T1-GE3DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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