제조업체 제품 번호:
SIZ200DT-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIZ200DT-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
상세 설명:
Mosfet Array 30V 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)
재고:
12786127
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제출
SIZ200DT-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET® Gen IV
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
28nC @ 10V, 30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
전력 - 최대
4.3W (Ta), 33W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-PowerWDFN
공급업체 장치 패키지
8-PowerPair® (3.3x3.3)
기본 제품 번호
SIZ200
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SIZ200DT-T1-GE3CT
SIZ200DT-T1-GE3TR
SIZ200DT-T1-GE3DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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