SIZ342DT-T1-GE3
제조업체 제품 번호:

SIZ342DT-T1-GE3

Product Overview

제조사:

Vishay Siliconix

부품 번호:

SIZ342DT-T1-GE3-DG

설명:

MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
상세 설명:
Mosfet Array 30V 15.7A (Ta), 100A (Tc) 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-Power33 (3x3)

재고:

18593 새로운 원본 재고 있음
12787353
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

SIZ342DT-T1-GE3 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Active
기술
-
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
15.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 14A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
650pF @ 15V
전력 - 최대
3.6W, 4.3W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-PowerWDFN
공급업체 장치 패키지
8-Power33 (3x3)
기본 제품 번호
SIZ342

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
SIZ342DT-T1-GE3CT
SIZ342DT-T1-GE3DKR
SIZ342DT-T1-GE3TR
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
vishay-siliconix

SIA936EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

vishay-siliconix

SIA912DJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

vishay-siliconix

SQUN702E-T1_GE3

MOSFET N/P-CH 40V/200V 30A DIE

vishay-siliconix

SIZF300DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR